新一代非易失性阻变存储器技术

发表时间:2019-12-14 16:57

单位名称: 内蒙古技术转移及知识产权一站式服务平台

所属领域: 大规模储能

成果描述:

采用本成果技术制造的RRAM原型存储器的性能指标在该领域内已经达到了国际先进,国内一流的水平,具有良好的产业化前景。低功耗和小尺寸的特性使得RRAM非常适合应用在物联网、可穿戴等对功耗和芯片尺寸要求比较高的领域,介于DRAM和Flash之间的高速度和高耐久性的特性使得RRAM很适合用于储存级存储器(SCM:Storage-Class Memory),同时RRAM模拟和数字相结合的特性使其可以实现存储与计算结合的类脑计算架构(In-Memory-Computing)。短期来看,RRAM可以替代嵌入式和低容量闪存,中期来看可以替代中、高容量的存储级闪存,长期来看RRAM也很有可能会成为新一代计算架构的核心技术。

联系人: 戴昂

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